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공기 필터용 래미네이트 ePTFE 필터 매체
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공기 필터용 래미네이트 ePTFE 필터 매체

저풍저항 및 고포집률. 뛰어난 저항성과 효율성 필터 비율; PF: [email protected]/[email protected]μm DOP (시험 장비 TSI 3160을 기준으로 측정).

유리섬유 및 전기적 대전(Electret) 필터 소재와 비교하여, PTFE 필터 매체는 풍저항과 포집률 사이에서 더 나은 균형을 달성할 수 있습니다.

붕소, 인, 불순물이 없으며, 휘발성 가스 발생량이 낮습니다.

우수한 내화학성: 산(예: HF), 염기, 유기 용매에 대한 뛰어난 내성.

탁월한 내습성, 방수성, 우수한 기계적 강도 및 내구성.

정보
원산지: 중국 장수 쑤저우
브랜드 이름: UNM
모델 시리즈 YKF
인증: SGS, ROSH
최소 주문 수량: 450m²
포장 세부사항: 판지 상자
배송 시간: 7-15일
결제 조건: T/T
일일 생산량 60000m/24h
설명

ePTFE 마이크로다공성 막과 수입된 부직포를 열압착하여 제조한 적층형 ePTFE 필터 매체로, 신뢰성 높은 여과 등급(H10–U17)을 갖추고 있으며, 풍저항 및 에너지 소비가 낮습니다. 반도체, 전자, 패널 디스플레이, PV(광전지) 등 다양한 산업 분야에서 생산 환경의 공기 여과에 광범위하게 사용될 수 있습니다.

당사는 ULPA, HEPA, EPA 등 다양한 여과 효율 등급의 제품 시리즈를 보유하고 있습니다. 당사의 적층형 PTFE 필터 매체로 제조된 필터는 EN 1822-2019, GB/T 13554, ISO 29463, IEST-RP-CC001, T/CRAA 431 등 국내외 주요 표준을 모두 만족합니다.

빠른 세부 사항

ePTFE 필터 매체, HEPA 필터 매체, 적층 ePTFE 필터 매체, PTFE 필터 매체, 산업용 먼지 제거 소재, 공기 필터 매체, 공기 필터지

응용 분야
  • Clean Room Filtration.jpg

    클린룸 필터링

  • Fan Filter Unit.jpg

    팬 필터 유닛

  • LED Monistor.jpg

    LED 모니터

  • Semiconductor.jpg

    반도체

제품 사양
코드 번호 필터 등급 구조 무게 두께 평균 압력강하 평균 필터 효율 사이즈 범위
레이어 비직조물 g/㎡ mm [email protected]/s % μm
YKF080310S E10 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 18-45 ≥85 0.3-0.5
YKF080311S E11 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 35-70 ≥95 0.3-0.5
YKF080312S E12 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 60-100 ≥99.5 0.3-0.5
YKF080313H H13 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 125-170 ≥99.95 0.3-0.5
YKF080313S H13 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 95-140 ≥99.95 0.3-0.5
YKF080314H H14 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 170-220 ≥99.997 0.3-0.5
YKF080314S H14 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 140-190 ≥99.995 0.3-0.5
YKF080315H H15 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 220-275 ≥99.999 0.1-0.2
YKF080315S H15 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 190-245 ≥99.997 0.1-0.2
YKF080316H U16 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 270-330 ≥99.9999 0.1-0.2
YKF080316S U16 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 240-300 ≥99.9997 0.1-0.2
YKF080317S U17 3 양전자 방출 단층 촬영술 80 0.40 310-390 ≥99.99992 0.1-0.2
YKF090513S H13 5 양전자 방출 단층 촬영술 90 0.45 100-160 ≥99.95 0.3-0.5
YKF090514S H14 5 양전자 방출 단층 촬영술 90 0.45 150-210 ≥99.995 0.3-0.5
YKF090515S H15 5 양전자 방출 단층 촬영술 90 0.45 200-260 ≥99.997 0.1-0.2
YKF090516S U16 5 양전자 방출 단층 촬영술 90 0.45 250-310 ≥99.9997 0.1-0.2
YKF090517S U17 5 양전자 방출 단층 촬영술 90 0.45 310-390 ≥99.99992 0.1-0.2

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